(c)不同d时，国家供CO2和N2的放电电流峰值曲线。
【图文导读】图一剥落MoS2纳米片结构表征图二 THAB-剥落MoS2图三溶液法制备的大尺寸薄膜晶体管图四MoS2薄膜晶体管的逻辑门和计算电路文献链接：电网电缆Solution-processable2Dsemiconductorsforhighperformancelarge-areaelectronics(Nature,2018,DOI:10.1038/s41586-018-0574-4)本文由材料人编辑部学术组liunian供稿，电网电缆材料牛编辑整理。【成果简介】加州大学段镶锋教授，附件范黄昱教授（通讯作者），附件范第一作者LinZhaoyang在Nature发表一篇题为Solution-processable2Dsemiconductorsforhighperformancelarge-areaelectronics的文章。
通过精确控制嵌入化学，商资实规获得了具有窄厚度分布的纯相的半导体2H-MoS2纳米片。然后将这些纳米片进一步加工成高性能薄膜晶体管，力信其室温迁移率约为每平方厘米10平方厘米，力信开/关比率为106，大大超过先前溶液法制备的MoS2晶体管所获得的值。此外，息核该方法应用于其他2D材料，包括WSe2，Bi2Se3，NbSe2，In2Se3，Sb2Te3和黑磷，展示了其制备多功能2D材料的潜力。
本文报道了制备高度均匀，国家供可溶液加工，国家供纯相半导体纳米片的一般方法，其涉及将季铵分子电化学嵌入二维晶体中，然后进行温和的超声处理和去角质过程。大面积薄膜晶体管阵列的可扩展制造使得能够构建功能逻辑门和计算电路，电网电缆包括反相器，NAND，NOR，AND和XOR门以及逻辑半加器。
传统的零维和一维纳米结构（分别为量子点和纳米线），附件范其通常受到表面悬挂键和相关的捕获状态的困扰，与其相反，2D纳米片具有自由悬挂键的表面。
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